三星3nm芯片将于Q2开始量产，压力给到台积电、英特尔？

近两年台积电、三星、英特尔在先进制程领域持续发力，而台积电和三星近期3nm节点工艺成果惹人注目。
　　
　　三星3nm芯片将于Q2开始量产
　　
　　三星电子周四（4月28日）宣布，将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，这不仅标志着业界3nm级制造技术的到来，也表示这是业界首个使用环栅场效应晶体管（GAAFETs）的节点。
　　
　　三星代工的3GAE工艺技术是该公司首次使用GAA晶体管，三星将其称之为“多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)”，即纳米片（nanosheets）水平层制成的沟道完全被栅极结构包围。三星表示技术有高度可制造性，因利用三星现有约90%的FinFET制造技术，只需少量修改过的光罩。此技术有出色的栅极可控性，比同样三星FinFET技术高31%，且因纳米片通道宽度可透过直接图像化改变，让设计有更高灵活性。
　　
　　去年的“SamsungFoundryForum2021”论坛活动上，三星在确认在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，分为早期的3GAE以及3GAP，三星曾表示，3GAP也将在2023年出货。
　　
　　官方数据显示，3GAE工艺将实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及高达80%的晶体管密度（包括逻辑和SRAM晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。
　　
　　理论上，与目前使用的Finfet相比，Gaafet有许多优势，例如可大大降低晶体管漏电流(即，降低功耗)以及挖掘晶体管性能的潜在实力，这意味着更高的产率、和改进的产能。此外，根据应用材料公司最近的报告，GAAFETs还可以减少20%至30%的面积。
　　
　　台积电3nm将于8月投产
　　
　　台积电方面，今年4月上旬，台积电对外公开表示，该公司在3nm工艺开发上取得突破。其中在今年8月将可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度将有可能量产3nm制程的N3E，比预计提前了半年。
　　
　　报道显示，第二版3nm制程N3B，将在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。据悉，台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。
　　
　　据台积电介绍，公司的3nm（N3）制程技术将是5nm（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3制程技术的开发进度符合预期且进展良好，未来将提供完整的平台来支援行动通讯及高效能运算应用，预期2021年将接获多个客户产品投片。
　　
　　据公开资料显示，台积电南科的Fab18是现下的扩产重心，旗下有P1～P4共4座5nm及4nm厂，以及P5～P8共4座3nm厂，而P1～P3的Fab18A均处于量产状态，至于P4～P6的Fab18B厂生产线则已建置完成，而Fab18B厂，即3nm制程产线，早在去年年年底就已开始进行测试芯片的下线投片。
　　
　　至于2nm制程，魏哲家则回应称，2nm制程目前按照计划开发，预计2024年进入风险试产阶段，将于2025年量产。
　　
　　英特尔：2024年底之前接管行业的制程领导地位
　　
　　对比三星和台积电，英特尔在3nm节点上暂无明显成果。但是英特尔曾表示，其目标是在2024年底之前接管行业的制程领导地位。
　　
　　先进制程方面，英特尔在2022年投资者大会上曾表示，Intel4也就是7nm预计在2022年下半年投产；Intel3（第二代7nm）预计在2023年下半年投产；Intel20A（5nm）将于2024年投产；Intel18A（第二代5nm）预计在2025年投产。
　　
　　但是英特尔似乎对3nm势在必得。
　　
　　据外媒报道，去年12月，英特尔CEO基尔辛格曾乘坐私人专机访台积电，希望争取到未来2～3年更多台积电先进工艺产能。业界消息显示，对于3nm工艺，英特尔希望能与苹果一样——台积电能够为英特尔建造一条3nm产能特供专线。结果如何我们不得而知。
　　
　　而今年4月初，基尔辛格再次到访了台积电，寻求台积电的晶圆代工产能支持。据业界产业链消息，台积电的首批客户或包括苹果和英特尔。
　　
　　此外，在4月18日投资人会议上，英特尔CEOPatGelsinger再次强调，英特尔2nm制程将在2024年上半年可量产，这个量产时间早于台积电2nm的2025年。
　　
　　近年来英特尔不断加码，它在设备领域更胜一筹。据公开消息显示，英特尔目前已获得ASML的先进光刻机，极紫外(EUV)光刻机。
　　
　　据悉4月上旬，英特尔在位于爱尔兰Leixlip的Fab34工厂，完成了首台极紫外（EUV）光刻机的安装，Fab34也成为欧洲最先进的芯片制造工厂。
　　
　　据ASML发言人称，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍，同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NAEUV光刻机。
　　
　　极紫外(EUV)光刻机是Intel4制程技术的关键一环，这台机器的获得，将大大提速英特尔发展先进制程的步伐。