外媒：格芯与美国国防部签署45nm SOI芯片供应协议

格芯与美国国防部（DoD）签署了一项价值1.17亿美元的协议，为后者提供差异化的45nmSOI平台制造的半导体芯片。这些芯片将用于美国国防和航空航天领域的敏感应用。首批芯片目标在2023年开始交付。
　　
　　据Evertiq报道，根据协议，这些芯片制造将从格芯位于纽约东菲什基尔的Fab10转移到纽约马耳他的Fab8。除了为国防部提供不间断的供应外，这还将使得格芯在Fab10被安森美收购后，继续向客户供应其45nmSOI平台制造的芯片。
　　
　　格芯首席执行官TomCaulfield在一份新闻稿中说，“这一新的供应和技术转让协议展示了强有力的公私伙伴关系，这是一个极好的例子，说明联邦政府在半导体制造领域的合作和投资可以对加强国内供应链产生影响。我们的合作关系促进了国家经济，同时也确保了美国政府在航空航天、国防和其他关键任务应用方面所需的芯片的战略和可靠供应。”