大摩：看衰存储走势

外资摩根士丹利（大摩）最新报告指出，受PC出货前景转差、南韩两大指标厂持续抢食市场，及大陆供应链制程与良率提升等三大因素影响，看坏DRAM、储存型快闪记忆体（NANDFlash）、编码型快闪记忆体（NORFlash）等三大记忆体后市，给予南亚科、华邦、旺宏、力积电「劣于大盘」评级。
　　
　　大摩去年8月中旬曾以「记忆体寒冬来临」为题，发布看空记忆体市况报告，罕见引发台湾记忆体三巨头旺宏董事长吴敏求、华邦董事长焦佑钧、群联时任董座潘健成同声高喊「不认同」，也因三巨头信心喊话，当时遭看空的个股在报告出炉后，短线股价并未剧烈波动，直到当年10月大盘大幅回档下探波段低点16,162点时，才显著修正。
　　
　　不过，近期俄乌战事延烧，加上全球通膨气焰高张，科技股成为市场资金撤出标的之际，大摩昨（24）日最新报告流出之后，加深市场对记忆体后市疑虑，引起震撼。
　　
　　大摩在长达15页的报告中指出，一个月前NAND芯片市况紧俏，有效支撑报价走势，使得市场预期NAND第2季价格有望季增5%至10%，然而在近日访查后发现，随着PC需求前景持续转差，第2季NAND价格恐仅季增5%。
　　
　　DRAM方面，虽然三星、SK海力士停止生产1Gb／2Gb容量产品，并减少生产DDR3记忆体，但这两大南韩业者并未放弃DRAM市场，反而正在为4Gb产品迁移到DDR4做准备，此举恐冲击南亚科在电视／机上盒的市场，并使得利基型DRAM价格承压，预估第2季报价将季减5%以内，未达业界普遍看好价格走扬的趋势。
　　
　　另外，大陆记忆体厂长鑫存储新产品良率不错，规划今年第2季提供客户新样品，大摩认为长鑫存储的产品成本结构优于南亚科、力积电、华邦等台厂；加上另一大陆记忆体指标厂兆易创新也开始销售19纳米1Gb／2GbDRAM芯片，并由长鑫存储代工，相关因素都不利台湾记忆体厂。
　　
　　NOR芯片方面，大摩预期第2季价格与首季大致持平，然而，近期PC等终端需求疲软，加上疫情等不确定性因素，使得下半年价格市况有更多变化，预估相关业者今年上半年获利可望持稳，下半年开始将面临库存增加压力。
　　
　　延伸阅读：大摩认为存储寒冬将至
　　
　　分析人士担忧存储器产业即将迎来冬天，冲击美国存储器大厂美光(MicronTechnologyInc.)重挫，美国半导体类股随之走弱。
　　
　　MarketWatch、Barron`s报导，摩根士丹利(通称大摩)分析师ShawnKim将美光的投资评等从「加码」调降至「中性权值」，警告产业「凛冬将至」(WinterIsComing)，预测DRAM报价恐将走低。
　　
　　大摩报告称，DRAM景气循环已开始翻转，该证券原本以为，若需求一路续强至第四季，报价有望持续走高。然而，大摩如今却担忧，即便需求一直「相对」强劲，过去几周却有恶化迹象，进而引发报价降温的预期。
　　
　　报告指出，初步迹象显示，Q3经过冗长协商、厂商决定调高报价后，Q4恐面临较为艰巨的订价环境，预测2022年趋势可能反转。这恐导致市场对存储器类股关注的焦点，从「厂商的盈余潜力」，转变成「存储器循环来到末期、类股的公平价值为何」。
　　
　　针对美光，大摩指出，他们对该公司的结构性改善印象深刻，但报价走势依旧令人忧心。虽然过去两季DRAM价格跳增了35%，还有望温和上涨至今(2021)年底，但明年报价却可能面临「较深的跌幅」，主因部分市场的客户库存偏高。大摩因而将美光目标价从105美元下修75美元。
　　
　　大摩也将SK海力士(SKHynix)的投资评等从「加码」调降至「减码」，南韩科技产业的展望则从「符合预期」调降至「保守」。
　　
　　美光12日应声重挫6.37%、收70.25美元，创2020年12月29日以来收盘新低，跌幅居费城半导体指数30支成分股之冠。这是美光自2020年3月16日以来最大单日跌幅。
　　
　　美光称笔电降温影响不大
　　
　　人们担忧库存及报价压力，冲击美光股价近日下杀。不过，美光财务长DaveZinsner坚称，今(2021)年下半供应链仍会持续面临短缺。
　　
　　SeekingAlpha报导，Zinsner8月10日在KeyBancCapitalMarkets科技领袖论坛中表示，今年下半年，云端与企业客户需求将强劲、工业与汽车市况也有望复甦，而供应链仍会持续紧缩。
　　
　　Zinsner表示，库存依旧非常低迷，美光预测本季底的库存天数会创「一段时间」(sometime)以来的新低点。他说，失衡现象主要偏供应方、而非较为健康的客户方。
　　
　　分析人士及投资人都担忧，随着PC需求从疫情最高峰回降、尤其是在低毛利的Chromebook方面，下半年DRAM报价恐将受到打击。对此，Zinsner表示，跟高阶的云端与汽车市场相比，Chromebook及笔电仅占一小部分DRAM需求。
　　
　　产业链人士：DRAM合约价格四季度可能下滑
　　
　　据国外媒体报道，产业链人士和研究机构此前多次表示，动态随机存储器（DRAM）的合约价格，在一季度和二季度将上涨，研究机构是预计二季度最低上涨18%，最高上涨23%。
　　
　　产业链人士日前表示，在连续两个季度上涨之后，DRAM合约价格在三季度的涨幅将会放缓，四季度则预计会持平或小幅下跌。
　　
　　值得注意的是，在今年年初，就有产业链方面的人士预计，DRAM的合约价格在上半年将上涨，三季度也将持续上涨，四季度预计会开始调整。产业链人士最新透露的四季度预计持平或小幅下跌，也符合年初给出的在四季度开始调整的预期。
　　
　　DRAM合约价格在四季度若下滑，就将影响到相关厂商的业绩，但考虑到前三季度的价格上涨，加之四季度也可能只是小幅下滑，对DRAM制造商的业绩，预计也不会有太大的影响，大概率还是会明显好于去年同期。
　　
　　TrendForce也表示，2021年3季度的PCDRAM合约价格谈判，已基本尘埃落定。在供应商低库存和采购旺季到来的情况下，当季合约价环比上涨了3~8%。与2季度的25%增长相比，3季度合约价格走势还是相当温和的。展望4季度，TrendForce预计，随着DRAM模组现货价格的继续走弱，当季合约价或迎来0~5%的跌幅。
　　
　　随着供应商继续降低价格以调节其DRAM库存，现货市场对PCDRAM的需求，也于7月初开始出现看跌的迹象。
　　
　　合约市场方面，PCOEM厂商目前拥有相对较高的DRAM库存水平。此前它们为了应对即将到来的供应短缺，而囤积了大量的库存。
　　
　　除了PCOEM厂商的库存高企，欧美防疫措施的逐步缓解（或降低台式机/笔记本电脑的整体需求），也给上涨的PCDRAM市场带来了下行压力。
　　
　　基于此，TrendForce预测2021年4季度的PCDRAM合约价将迎来0~5%的环比下降。
　　
　　DRAM模组的现货价格方面，各大供应商已纷纷降价去库存，导致8月DRAM模组的现货价格持续下跌。
　　
　　TrendForce调查称，截止8月3日，从5月20日开始的主流PCDRAM模组现货价格，已累计下跌32%。
　　
　　此外2021年3季度的DRAM模组现货价格，也首次较合约价低了近20%。预计短期之内，是不大可能出现价格上涨了。
　　
　　当然，近段时间的PCDRAM市场价格走势，也从侧面反映了COVID-19大流行在2021年2季度达到顶峰，导致许多卖家都在积极囤积各种零部件。
　　
　　4月份的时候，PCDRAM价格大幅上涨了25%，本季度的需求也出现了激增。不过与2季度相比，今年3季度的涨价趋势和销售量，均已明显减弱。
　　
　　TrendForce曾于今年6月底表示，大多数PCOEM厂商的DRAM库存周期为8~10周左右，有些甚至超过了10周。
　　
　　截止8月初，它们的库存并未得到显著改善。但随着PCOEM厂商开始陆续接收2021年3季度的订货，个别厂商的PCDRAM库存周期更是超过了12周。
　　
　　从笔记本电脑市场来看，品牌Chromebook上网本的出货量，也在2021年2季度达到了顶峰。
　　
　　最新数据显示，随着欧美逐步取消COVID-19限制措施，公众也在迅速恢复日常活动（返校/重回现场办公），对笔记本电脑的整体需求也已开始减弱。
　　
　　综上所述，尽管2021年4季度的笔记本电脑市场会出现周期性的回升、以及商用市场的更新换代需求，ODM制造商们仍会削减季度笔记本产能，从而降低对PCDRAM的整体需求。