《半导体器件物理 第2版》刘树林 半导体芯片制造资料下载

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内容介绍
本书由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理和工作特性。为便于读者自学和参考，本书首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极型晶体管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数和器件几何结构参数的关系；*后简要讲述了功率MOSFET、IGBT和光电器件等其他常用半导体器件的原理及应用。

作者介绍
刘树林：博士，西安科技大学教授、博士生导师，四川大学半导体物理专业本科毕业，航天部西安微电子研究所硕士、博士毕业。先后在西安电力电子研究所、中兴通讯股份有限公司、西安科技大学从事科研和教学工作。现任西安科技大学电气与控制工程学院副院长、

目录
*章 半导体物理基础 （1）
1.1 半导体晶体结构和缺陷 （1）
1.1.1 半导体的晶体结构 （1）
1.1.2 晶体的晶向与晶面 （3）
1.1.3 半导体中的缺陷 （4）
1.2 半导体的能带与杂质能级 （6）
1.2.1 半导体中电子共有化运动与能带 （6）
1.2.2 半导体中的E(k)~k关系、有效质量和k空间等能面 （11）
1.2.3 Si、Ge的能带结构及本征半导体 （14）
1.2.4 杂质半导体 （15）
1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子 （19）
1.3.1 导带电子浓度与价带空穴浓度 （19）
1.3.2 本征载流子浓度与本征费米能级 （22）
1.3.3 杂质半导体的载流子浓度 （24）
1.3.4 简并半导体及其载流子浓度 （28）
1.3.5 非平衡载流子的产生与复合及准费米能级 （30）
1.3.6 非平衡载流子的寿命与复合理论 （32）
1.4 半导体中载流子的输运现象 （35）
1.4.1 载流子的漂移运动与迁移率 （35）
1.4.2 半导体中的主要散射机构及迁移率与平均自由时间的关系 （37）
..........


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