IC Insights：今年全球NAND闪存资本支出将增长8%，至299亿美元

近日ICInsights发布了2022年《麦克林报告》第一季度更新。对未来的半导体产能、DRAM、闪存、MCU、MPU和模拟芯片细分市场做了详细预测。
　　
　　ICInsights预测今年NAND闪存资本支出将增长8%至299亿美元，超过2018年278亿美元的历史最高记录（如下图）。闪存资本支出在2017年飙升，当时该行业向3DNAND转型，此后每年都超过200亿美元。2022年，闪存的资本支出预计将增至299亿美元，因为大型供应商和小型供应商将保持适度激进的支出水平。
　　
　　299亿美元的支出占2022年整个集成电路行业资本支出1904亿美元的16%，仅落后于晶圆代工，这一部分预计将占今年行业资本支出的41%。
　　
　　新建和最近升级版的NAND闪存工厂包括三星的PyeongtaekLines1和2（也用于DRAM和代工）；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的Fab6和FabK1，以及美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK海力士为其M15工厂的剩余空间配备了NAND闪存。
　　
　　在预测期内，随着NAND闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。到今年晚些时候，三星和美光可能是第一批开始量产的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先NAND的关键制造基地，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产120000片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK海力士预计将在2023年迁移到196层。