II-VI加快扩建美国、瑞典6英寸和8英寸SiC衬底产能

II-VI正在美国和瑞典加快对6英寸和8英寸碳化硅（SiC）衬底和外延晶圆制造的投资。公司此前宣布，将在未来十年投资10亿美元，用于美国宾夕法尼亚州伊斯顿和瑞典基斯塔的大规模工厂扩建，以期成为全球最大的供应商之一。
　　
　　据eeNews报道，II-VI将在美国伊斯顿大规模建设近30万平方英尺的工厂，以扩大其最先进的6英寸和8英寸SiC衬底和外延晶片的生产。到2027年，伊斯顿6英寸和8英寸SiC衬底的产量预计将达到相当于每年100万块6英寸衬底的产量，8英寸衬底的比例将随着时间的推移而增长。
　　
　　此外，瑞典基斯塔外延晶圆产能的扩充则旨在服务于欧洲市场，该技术为II-VI从Ascatron收购得来，不同之处在于其在单个或多个再生步骤中实现厚层结构的能力，使得产品适用于1千伏以上应用的电力设备。
　　
　　“我们的客户正在加速他们的计划，以满足电动汽车中SiC功率器件的预期需求浪潮，我们预计，这将紧跟当前工业、可再生能源、数据中心等领域的采用周期。”NewVentures&widebandgap电子技术执行副总裁SohailKhan说，“伊斯顿工厂将在未来五年内将II-VI的SiC衬底产量提高至少六倍，它也将成为II-VI的8英寸SiC外延晶圆的旗舰制造中心，这是世界上最大的之一。”