英特尔、台积电等大厂加码， 2021年全球先进封装资本支出约119亿美元

近日，知名咨询机构YoleDeveloppement发布了最新数据。数据显示，2021年，全球半导体厂商在先进封装领域的资本支出约为119亿美元。其中，英特尔投入35亿美元发展先进封装技术，中国台湾的台积电在先进封装领域投入30.5亿美元，日月光在先进封装领域投入20亿美元，三星在先进封装领域的资本支出为15亿美元。中国大陆方面，长电科技和通富微电上榜，在先进封装领域的投入额分别为5.93亿美元和4.87亿美元。
　　
　　未来几年，先进封装的市场规模有望不断扩大。据YoleDeveloppement测算，预计到2027年，先进封装市场收入将达到78.7亿美元，高于2021年的27.4亿美元。预计2021年至2027年间，先进封装市场的复合年均增长率将达到19%。
　　
　　从具体市场份额来看，预计到2027年，UHDFO(超高密度扇出)、HBM(高带宽显存)、3DS（3D内存封装）和有源硅中介层将占总市场份额的50%以上。与此同时，嵌入式硅桥、3DNAND堆栈、3DSoC和HBM(高带宽显存)的复合年均增长率将大于20%，市场增速最为明显。
　　
　　就具体厂商而言，英特尔、台积电、日月光和三星在先进封装领域的资本投入较大。根据YoleDeveloppement统计，2021年，英特尔投入35亿美元，以支持Foveros3D封装技术和EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)技术的发展；台积电在先进封装领域投入30.5亿美元，目前正在为3D片上系统组件定义新的系统级路线图和技术；日月光在先进封装领域投入20亿美元，该公司推出的ChipLastFOCoS先进封装已于2021年实现量产；三星作为3D堆叠内存解决方案的领导者，在先进封装领域的资本支出为15亿美元。
　　
　　中国大陆方面，长电科技在先进封装领域的资本投入额为5.93亿美元，通富微电的资本投入额为4.87亿美元。
　　
　　“先进封装技术作为超越摩尔定律发展的重要手段之一，实现不同工艺器件的一体化互连是当前电子系统小型化、实用化、多功能化的使能技术。”华进半导体封装先导技术研发中心有限公司副总经理、江苏省产业技术研究院半导体封装技术研究所常务副所长秦舒向《中国电子报》记者表示，随着芯片制程的进一步微缩，先进封装技术存在向晶圆厂转移的趋势，如台积电布局封测业务，并垄断高端封测领域，其InFO、CoWoS、SoIC技术锁定量少质精的高端芯片封装，晶圆厂降维整合封测技术对产业格局有着深刻的影响。