高通骁龙8 Gen2代工厂换为台积电

近日，业内人士爆料称，高通今年下半年和明年的旗舰处理器都会由台积电代工。按照高通命名规则，今年下半年的商用旗舰芯片将会被命名为骁龙8Gen1Plus，明年的旗舰处理器命名为骁龙8Gen2，都将由台积电代工。截至发稿时，高通方面未对更换代工厂一事作出回应。
　　
　　根据已透露的消息，台积电采用鳍式场效应晶体管工艺（FinFET）。赛迪顾问集成电路产业研究中心总经理滕冉在接受《中国电子报》记者采访时表示：“台积电结合成本、技术成熟度、能效表现等多方面考量，将在3nm节点继续沿用FinFET结构+EUV光刻的技术路线。”根据已公布的消息，台积电为3nm制程准备了N3、N3E、N3B三个版本，其中N3预计将于今年下半年量产。根据市场预判，3nm工艺将会在iPhone14或骁龙手机处理器上使用。由于为iPhone代工的台积电此前在3nm工艺研发上遭遇了挑战，iPhone14使用的A16很有可能将继续使用4nm工艺。因此，骁龙8Gen2大概率将成为台积电3nm工艺的首发芯片。
　　
　　在全球晶圆代工领域，台积电和三星分列前两位，两者合计市场占有率超过75%，尤其在先进制程领域，几乎没有其他代工企业可以提供制造服务。二者的客户几乎覆盖了全球所有设计企业，包括苹果、超微、联发科、英伟达、高通、博通等。
　　
　　与台积电不同的是，三星采用的环绕式栅极技术晶体管（GAA）工艺，分为3GAE、3GAP等版本。根据三星公布的技术路线图，其3GAE（低功耗版）将于2022年量产，3GAP（高性能版）将会在2023年年初量产。而根据消息，2022年生产的3nm产品将只用于三星内部，真正商业化产品的量产时间要等到2023年。滕冉表示：“从目前公布的技术方案来看，GAA会比FinFET有更好的沟道控制能力，可以让晶体管尺寸进一步收缩，但同时面临良率和成本的问题。”
　　
　　此前，高通发布的旗舰处理器骁龙8Gen1和骁龙888均由三星代工。其中，2021年12月月初发布的旗舰处理器骁龙8Gen1基于4nm制程工艺制造；而发布于2020年12月的旗舰级SoC骁龙888采用了5nm制程。
　　
　　关于高通代工订单由三星转向台积电的原因，有业内人士认为这与两家工厂的良率有关。台积电代工的骁龙8Gen1Plus每个季度有5万多片产出，其良率已经超过70%，比三星代工的骁龙8Gen1高出许多。但创道投资咨询总经理步日欣并不认为良率高低是转移代工厂的主要原因。步日欣认为，良率高低只决定了代工厂的成本，并非是高通更换代工厂的直接因素。
　　
　　至于高通更换代工厂的原因，步日欣在接受《中国电子报》记者采访时表示：“CPU、GPU等处理器芯片，属于算力芯片，对于工艺制程追求最为积极。在工艺制程方面，台积电明显领先于三星，这是高通转向台积电的主要原因。”